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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:R-PECVD?真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號:CY-OTF-1200X-I-PEC4
  • 產(chǎn)品廠商:成越科儀
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設(shè)備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構(gòu)、質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子泵組部分構(gòu)成。R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設(shè)備利用旋轉(zhuǎn)和傾斜機構(gòu)實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn),并且可以使顆粒型樣品表面均勻生長產(chǎn)物。
詳情介紹:

R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設(shè)備(1200℃單溫區(qū) 4路MFC)設(shè)備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構(gòu)、質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子泵組等部分構(gòu)成。

特點:

1.  相比于其他的石墨烯制備設(shè)備,能提供更高的基底真空,提高產(chǎn)物質(zhì)量;
2. 能夠利用旋轉(zhuǎn)和傾斜機構(gòu)實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)使顆粒型樣品表面均勻生長產(chǎn)物;
3. 等離子發(fā)生裝置能夠顯著降低反應(yīng)溫度,提高反應(yīng)效率。 

技術(shù)參數(shù):

單溫區(qū)管式爐

產(chǎn)品型號

CY-OTF-1200X-I-PEC4

爐管材質(zhì)

高純石英

爐管直徑

100mm

爐管長度

1500mm

爐膛長度

440mm

加熱區(qū)長

400mm

恒溫區(qū)長

200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

高清全彩LCD觸控屏

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

供電電源

AC:220V 50/60Hz

RF輸出系統(tǒng)

功率范圍

0~500W可調(diào)

工作頻率

13.56MHz+0.005%

工作模式

連續(xù)輸出

匹配阻抗模式

能夠匹配,起輝均勻布滿爐管

功率穩(wěn)定度

≤2W

正常工作反射功率

≤3W

放大反射功率

≤70W

諧波分量

≤-50dBc

整機效率

≥70%

功率因素

≥90%

供電電壓/頻率

單相交流(187V~153V) 頻率50/60Hz

控制模式

內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊

電源保護設(shè)置

DC過流保護,功放過溫保護,反射功率保護

冷卻方式

強制風冷

起輝長度

在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管

供氣系統(tǒng)

流量計

四路質(zhì)子流量計

流量范圍

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分別對應(yīng)氣體H2、 CH4、 N2、 Ar.

測量精度

±1.5%F.S

重復(fù)精度

±0.2%FS

線性精度

±1%F.S.

響應(yīng)時間

≤4s

工作壓力

-0.15Mpa~0.15Mpa

流量控制

液晶觸摸屏控制,數(shù)字顯示,每路氣體含有針閥單獨控制

進氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

出氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

連接方式

雙卡套接頭

工作溫度

5~45℃

氣體預(yù)混

配氣體預(yù)混裝置

排氣系統(tǒng)

 

產(chǎn)品型號

CY-GZK103-A

分子泵

渦輪分子泵

前級泵

雙級旋片泵

抽氣速率

分子泵:600L/S

綜合抽氣性能:30分鐘真空度可達:5×10E-3Pa

旋片泵:1.1L/S

極限真空

5×10E-4Pa

抽氣接口

KF40

排氣接口

KF16

真空測量

復(fù)合真空計

旋轉(zhuǎn)及傾斜裝置

轉(zhuǎn)速范圍

0-20rpm

傾斜角度

0-15°

進出料

自動進料,傾斜后可自動集料

 

豫公網(wǎng)安備 41019702002438號